FCP099N60E
制造商产品编号:

FCP099N60E

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FCP099N60E-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
详细描述:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3

库存:

390 件 新原装 现货
12836448
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

FCP099N60E 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tube
系列
SuperFET® II
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
37A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
3465 pF @ 380 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
357W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
FCP099

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
50
其他名称
2156-FCP099N60E-OS
ONSONSFCP099N60E

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IPP65R125C7XKSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
470
部件编号
IPP65R125C7XKSA1-DG
单价
2.09
替代类型
Similar
零件编号
SIHP28N65E-GE3
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
0
部件编号
SIHP28N65E-GE3-DG
单价
2.49
替代类型
Similar
零件编号
STP34NM60ND
制造商
STMicroelectronics
可用数量
969
部件编号
STP34NM60ND-DG
单价
5.81
替代类型
Similar
零件编号
STP30N65M5
制造商
STMicroelectronics
可用数量
5189
部件编号
STP30N65M5-DG
单价
3.17
替代类型
Similar
零件编号
IPP60R099P6XKSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
0
部件编号
IPP60R099P6XKSA1-DG
单价
2.69
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
onsemi

HUF76639S3ST-F085

MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB

infineon-technologies

AUIRFZ24NS

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

onsemi

FDB24AN06LA0

MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263AB

infineon-technologies

BSL207SPL6327HTSA1

MOSFET P-CH 20V 6A TSOP-6