制造商产品编号:
FCMT199N60
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FCMT199N60-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
详细描述:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount Power88
库存:
18529 件 新原装 现货
12838531
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FCMT199N60 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SuperFET® II
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
20.2A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
199mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2950 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
208W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
Power88
包装 / 外壳
4-PowerTSFN
基本产品编号
FCMT199
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
ONSONSFCMT199N60
FCMT199N60CT
FCMT199N60TR
2156-FCMT199N60-OS
FCMT199N60DKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPL60R185P7AUMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
5980
部件编号
IPL60R185P7AUMA1-DG
单价
1.15
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