FCH25N60N
制造商产品编号:

FCH25N60N

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FCH25N60N-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
详细描述:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-247-3

库存:

12838792
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

FCH25N60N 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
SupreMOS™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
25A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
126mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
3352 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
216W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247-3
包装 / 外壳
TO-247-3
基本产品编号
FCH25N60

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
30
其他名称
FCH25N60NOS
2156-FCH25N60N-488
FCH25N60N-DG

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IPW60R099CPAFKSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
196
部件编号
IPW60R099CPAFKSA1-DG
单价
4.16
替代类型
Similar
零件编号
SIHG33N65E-GE3
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
0
部件编号
SIHG33N65E-GE3-DG
单价
3.91
替代类型
Similar
零件编号
SCT3080ALGC11
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
1587
部件编号
SCT3080ALGC11-DG
单价
6.38
替代类型
Similar
零件编号
IXKH35N60C5
制造商
IXYS
可用数量
117
部件编号
IXKH35N60C5-DG
单价
6.79
替代类型
Similar
零件编号
IXFH34N65X2
制造商
IXYS
可用数量
89
部件编号
IXFH34N65X2-DG
单价
4.08
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
onsemi

FDMC8010

MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33

onsemi

FQL40N50F

MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3

onsemi

FQU7P06TU

MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK

onsemi

FQB70N10TM_AM002

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK