制造商产品编号:
FCH25N60N
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FCH25N60N-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
详细描述:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-247-3
库存:
12838792
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FCH25N60N 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
SupreMOS™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
25A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
126mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
3352 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
216W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247-3
包装 / 外壳
TO-247-3
基本产品编号
FCH25N60
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
30
其他名称
FCH25N60NOS
2156-FCH25N60N-488
FCH25N60N-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPW60R099CPAFKSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
196
部件编号
IPW60R099CPAFKSA1-DG
单价
4.16
替代类型
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