制造商产品编号:
FCD9N60NTM
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FCD9N60NTM-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
详细描述:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 92.6W (Tc) Surface Mount TO-252AA
库存:
12839921
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FCD9N60NTM 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
SupreMOS™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
9A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
385mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
17.8 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1000 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
92.6W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252AA
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
FCD9N60
数据表和文档
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
2156-FCD9N60NTM-OS
FCD9N60NTMCT
FCD9N60NTMDKR
ONSONSFCD9N60NTM
FCD9N60NTMTR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPD60R360P7ATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
7000
部件编号
IPD60R360P7ATMA1-DG
单价
0.54
替代类型
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