制造商产品编号:
FCD850N80Z
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FCD850N80Z-DG
描述:
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
详细描述:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA
库存:
15910 件 新原装 现货
12839201
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FCD850N80Z 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SuperFET® II
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
800 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
6A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 600µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1315 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
75W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252AA
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
FCD850
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
FCD850N80ZDKR
FCD850N80ZDKR-DG
FCD850N80ZTR
FCD850N80ZCT
FCD850N80ZDKRINACTIVE
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPD60R800CEAUMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
2503
部件编号
IPD60R800CEAUMA1-DG
单价
0.27
替代类型
Direct
零件编号
IPD60R600C6ATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
9634
部件编号
IPD60R600C6ATMA1-DG
单价
0.50
替代类型
Direct
零件编号
IPD60R600P6ATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
4899
部件编号
IPD60R600P6ATMA1-DG
单价
0.51
替代类型
Direct
零件编号
IPD60R2K1CEAUMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
10286
部件编号
IPD60R2K1CEAUMA1-DG
单价
0.17
替代类型
Direct
数字证书
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