FCA22N60N
制造商产品编号:

FCA22N60N

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FCA22N60N-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
详细描述:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN

库存:

12850640
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FCA22N60N 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
SupreMOS™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
22A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1950 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
205W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-3PN
包装 / 外壳
TO-3P-3, SC-65-3
基本产品编号
FCA22N60

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
30
其他名称
2832-FCA22N60N
FCA22N60NOS
FCA22N60N-DG

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IXFQ50N60P3
制造商
IXYS
可用数量
0
部件编号
IXFQ50N60P3-DG
单价
5.29
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