制造商产品编号:
FCA16N60N
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FCA16N60N-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V TO-3PN
详细描述:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 134.4W (Tc) Through Hole TO-3PN
库存:
12930669
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FCA16N60N 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
SupreMOS®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
16A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
199mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
52.3 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2170 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
134.4W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-3PN
包装 / 外壳
TO-3P-3, SC-65-3
基本产品编号
FCA16
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
450
其他名称
488-FCA16N60N
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
相关产品
NVMFS5C680NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN
FQPF6N90C
MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
FDMC86262P
MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
