制造商产品编号:
EFC6601R-TR
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
EFC6601R-TR-DG
描述:
MOSFET 2N-CH EFCP2718
详细描述:
Mosfet Array 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020
库存:
12838846
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
EFC6601R-TR 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏源电压 （Vdss）
-
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs（th） （最大值） @ Id
-
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
48nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
-
功率 - 最大值
2W
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-XFBGA, FCBGA
供应商设备包
EFCP2718-6CE-020
基本产品编号
EFC6601
附加信息
标准套餐
5,000
其他名称
EFC6601R-TROSCT
2156-EFC6601R-TR-OS
ONSONSEFC6601R-TR
EFC6601R-TR-DG
EFC6601R-TROSDKR
EFC6601R-TROSTR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
相关产品
FDW2507N
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP
ECH8660-S-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8
FDS6984AS
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
