制造商产品编号:
DTD113E
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
DTD113E-DG
描述:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
库存:
25000 件 新原装 现货
12934311
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DTD113E 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极型预偏置双极晶体管
制造商
onsemi
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50 V
电阻器 - 基座 （R1）
1 kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
1 kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
3 @ 5mA, 10V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
功率 - 最大值
350 mW
年级
-
资格
-
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商设备包
TO-92 (TO-226)
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
11,539
其他名称
ONSONSDTD113E
2156-DTD113E
环境与出口分类
RoHS 状态
RoHS non-compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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