BUT11ATU
制造商产品编号:

BUT11ATU

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

BUT11ATU-DG

描述:

TRANS NPN 450V 5A TO220-3
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 5 A 100 W Through Hole TO-220-3

库存:

12850637
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BUT11ATU 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
5 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
450 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
1.5V @ 500mA, 2.5A
电流 - 集电极截止(最大值)
1mA
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
-
功率 - 最大值
100 W
频率 - 过渡
-
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-220-3
供应商设备包
TO-220-3
基本产品编号
BUT11

附加信息

标准套餐
1,000
其他名称
BUT11ATUOS
BUT11ATU-DG
2832-BUT11ATU
2166-BUT11ATU-488

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
PHD13005,127
制造商
WeEn Semiconductors
可用数量
5943
部件编号
PHD13005,127-DG
单价
0.16
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