BS170RLRMG
制造商产品编号:

BS170RLRMG

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

BS170RLRMG-DG

描述:

MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
详细描述:
N-Channel 60 V 500mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)

库存:

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BS170RLRMG 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
500mA (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 1mA
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
60 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
350mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-92 (TO-226)
包装 / 外壳
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
基本产品编号
BS170

附加信息

标准套餐
2,000
其他名称
BS170RLRMG-DG
BS170RLRMGOSTB
BS170RLRMGOSTR
BS170RLRMGOSTR-DG
BS170RLRMGOSCT
=BS170RLRMGOSCT-DG

环境与出口分类

湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
BS170-D27Z
制造商
onsemi
可用数量
2869
部件编号
BS170-D27Z-DG
单价
0.06
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数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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