制造商产品编号:
BS107G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
BS107G-DG
描述:
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
详细描述:
N-Channel 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)
库存:
12848208
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
BS107G 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
200 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
250mA (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
2.6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 1mA
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
60 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
350mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-92 (TO-226)
包装 / 外壳
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
基本产品编号
BS107
数据表和文档
附加信息
标准套餐
1,000
其他名称
BS107GOS
BS107G-DG
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
相关产品
AOUS66616
MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8
FDC604P
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
AOW11N60
MOSFET N-CH 600V 11A TO262
