BFL4007-1E
制造商产品编号:

BFL4007-1E

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

BFL4007-1E-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 8.7A TO220F-3FS
详细描述:
N-Channel 600 V 8.7A (Tc) 2W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220F-3FS

库存:

12834515
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

BFL4007-1E 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
680mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
-
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2W (Ta), 40W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220F-3FS
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
基本产品编号
BFL40

附加信息

标准套餐
50
其他名称
ONSONSBFL4007-1E
2156-BFL4007-1E-ON

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
STF7NM60N
制造商
STMicroelectronics
可用数量
846
部件编号
STF7NM60N-DG
单价
1.18
替代类型
Similar
零件编号
IPA70R750P7SXKSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
76
部件编号
IPA70R750P7SXKSA1-DG
单价
0.71
替代类型
Similar
零件编号
TK9A60D(STA4,Q,M)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
44
部件编号
TK9A60D(STA4,Q,M)-DG
单价
0.77
替代类型
Similar
零件编号
STF9NM60N
制造商
STMicroelectronics
可用数量
1359
部件编号
STF9NM60N-DG
单价
1.11
替代类型
Similar
零件编号
SPA08N80C3XKSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
0
部件编号
SPA08N80C3XKSA1-DG
单价
1.13
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
onsemi

5HP01M-TL-E

MOSFET P-CH 50V 70MA 3MCP

infineon-technologies

BSP320SH6327XTSA1

MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4

onsemi

2N7002W

MOSFET SOT323 N 60V 13.5OHM

infineon-technologies

AUIRFP064N

MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC