BF199_J35Z
制造商产品编号:

BF199_J35Z

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

BF199_J35Z-DG

描述:

RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3
详细描述:
RF Transistor NPN 25V 50mA 1.1GHz 350mW Through Hole TO-92-3

库存:

12847839
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BF199_J35Z 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极射频晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
25V
频率 - 过渡
1.1GHz
噪声系数 (dB Typ @ f)
-
获得
-
功率 - 最大值
350mW
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
38 @ 7mA, 10V
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
50mA
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商设备包
TO-92-3
基本产品编号
BF199

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
2,000

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

替代模型

零件编号
MT3S16U(TE85L,F)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
3106
部件编号
MT3S16U(TE85L,F)-DG
单价
0.08
替代类型
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可用数量
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单价
0.12
替代类型
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制造商
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可用数量
1041
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单价
2.97
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