BD810G
制造商产品编号:

BD810G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

BD810G-DG

描述:

TRANS PNP 80V 10A TO220
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 10 A 1.5MHz 90 W Through Hole TO-220

库存:

12848876
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BD810G 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
10 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
80 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
1.1V @ 300mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大值)
1mA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
15 @ 4A, 2V
功率 - 最大值
90 W
频率 - 过渡
1.5MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-220-3
供应商设备包
TO-220
基本产品编号
BD810

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
50
其他名称
2156-BD810G-OS
ONSONSBD810G

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
2N6491G
制造商
onsemi
可用数量
1358
部件编号
2N6491G-DG
单价
0.35
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