制造商产品编号:
BD809G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
BD809G-DG
描述:
TRANS NPN 80V 10A TO220
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 10 A 1.5MHz 90 W Through Hole TO-220
库存:
12850525
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
BD809G 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
10 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
80 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
1.1V @ 300mA, 3A
电流 - 集电极截止（最大值）
1mA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
15 @ 4A, 2V
功率 - 最大值
90 W
频率 - 过渡
1.5MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-220-3
供应商设备包
TO-220
基本产品编号
BD809
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
50
其他名称
BD809G-DG
BD809GOS
2156-BD809G-OS
ONSONSBD809G
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
相关产品
BC 846BW H6327
TRANS NPN 65V 0.1A SOT323
BD442G
TRANS PNP 80V 4A TO126
BC859CLT1G
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
