BD679ASTU
制造商产品编号:

BD679ASTU

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

BD679ASTU-DG

描述:

TRANS NPN DARL 80V 4A TO126-3
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A 40 W Through Hole TO-126-3

库存:

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BD679ASTU 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN - Darlington
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
4 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
80 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
2.8V @ 40mA, 2A
电流 - 集电极截止（最大值）
500µA
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
750 @ 2A, 3V
功率 - 最大值
40 W
频率 - 过渡
-
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-225AA, TO-126-3
供应商设备包
TO-126-3
基本产品编号
BD679

附加信息

标准套餐
1,920
其他名称
2156-BD679ASTU-OS
2832-BD679ASTU
BD679ASTU-DG
BD679ASTUFS
2832-BD679ASTU-488
ONSONSBD679ASTU

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
BD679
制造商
STMicroelectronics
可用数量
5225
部件编号
BD679-DG
单价
0.14
替代类型
Direct
零件编号
BD679AS
制造商
onsemi
可用数量
10094
部件编号
BD679AS-DG
单价
0.23
替代类型
Direct
零件编号
BD679A
制造商
STMicroelectronics
可用数量
1127
部件编号
BD679A-DG
单价
0.27
替代类型
Direct
数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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