BD159STU
制造商产品编号:

BD159STU

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

BD159STU-DG

描述:

TRANS NPN 350V 0.5A TO126-3
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 500 mA 20 W Through Hole TO-126-3

库存:

12848600
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BD159STU 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
500 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
350 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
-
电流 - 集电极截止(最大值)
100µA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
30 @ 50mA, 10V
功率 - 最大值
20 W
频率 - 过渡
-
工作温度
-
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-225AA, TO-126-3
供应商设备包
TO-126-3
基本产品编号
BD159

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
1,920
其他名称
2832-BD159STU
BD159STUFS
BD159STUOS
BD159STUFS-DG
2832-BD159STU-488
BD159STU-DG

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
MJE340
制造商
NTE Electronics, Inc
可用数量
440
部件编号
MJE340-DG
单价
0.84
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