制造商产品编号:
BD159G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
BD159G-DG
描述:
TRANS NPN 350V 0.5A TO126
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 500 mA 20 W Through Hole TO-126
库存:
12846680
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BD159G 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
500 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
350 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
-
电流 - 集电极截止（最大值）
100µA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
30 @ 50mA, 10V
功率 - 最大值
20 W
频率 - 过渡
-
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-225AA, TO-126-3
供应商设备包
TO-126
基本产品编号
BD159
数据表和文档
附加信息
标准套餐
500
其他名称
BD159GOS
ONSONSBD159G
BD159G-DG
2156-BD159G-OS
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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