BC637G
制造商产品编号:

BC637G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

BC637G-DG

描述:

TRANS NPN 60V 1A TO92
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 200MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)

库存:

12835458
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BC637G 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
1 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
60 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
功率 - 最大值
625 mW
频率 - 过渡
200MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供应商设备包
TO-92 (TO-226)
基本产品编号
BC637

附加信息

标准套餐
5,000
其他名称
ONSONSBC637G
BC637G-DG
2156-BC637G-ON
BC637GOS

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

替代模型

零件编号
KSD1616AGBU
制造商
onsemi
可用数量
38687
部件编号
KSD1616AGBU-DG
单价
0.09
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