制造商产品编号:
2SK4209
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
2SK4209-DG
描述:
MOSFET N-CH 800V 12A TO3PB
详细描述:
N-Channel 800 V 12A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB
库存:
12832685
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2SK4209 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
800 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
12A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.08Ohm @ 6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1500 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 190W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-3PB
包装 / 外壳
TO-3P-3, SC-65-3
基本产品编号
2SK4209
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
100
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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