2SK4066-1E
制造商产品编号:

2SK4066-1E

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

2SK4066-1E-DG

描述:

MOSFET N-CH 60V 100A TO262-3
详细描述:
N-Channel 60 V 100A (Ta) 1.65W (Ta), 90W (Tc) Through Hole TO-262-3

库存:

12836227
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2SK4066-1E 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
60 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
100A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
-
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
12500 pF @ 20 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
1.65W (Ta), 90W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-262-3
包装 / 外壳
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
基本产品编号
2SK4066

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐
50
其他名称
ONSONS2SK4066-1E
2156-2SK4066-1E-ON

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
FDP050AN06A0
制造商
onsemi
可用数量
6627
部件编号
FDP050AN06A0-DG
单价
1.14
替代类型
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