制造商产品编号:
2SD863F-AE
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
2SD863F-AE-DG
描述:
BIP NPN 1A 50V
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 1 A 150MHz 900 mW Through Hole 3-MP
库存:
15000 件 新原装 现货
12938350
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2SD863F-AE 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
1 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
500mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止（最大值）
1µA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
160 @ 50mA, 2V
功率 - 最大值
900 mW
频率 - 过渡
150MHz
工作温度
150°C (TJ)
年级
-
资格
-
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供应商设备包
3-MP
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
1,664
其他名称
ONSONS2SD863F-AE
2156-2SD863F-AE
环境与出口分类
RoHS 状态
Not applicable
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
数字证书
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