制造商产品编号:
2SC5706-P-E
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
2SC5706-P-E-DG
描述:
TRANS NPN 100V 5A TP
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 5 A 400MHz 800 mW Through Hole TP
库存:
12835898
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2SC5706-P-E 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
5 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
100 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
240mV @ 100mA, 2A
电流 - 集电极截止（最大值）
1µA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
200 @ 500mA, 2V
功率 - 最大值
800 mW
频率 - 过渡
400MHz
工作温度
-
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商设备包
TP
基本产品编号
2SC5706
附加信息
标准套餐
500
其他名称
ONSONS2SC5706-P-E
2156-2SC5706-P-E-ON
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
数字证书
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