2SC4134S-E
制造商产品编号:

2SC4134S-E

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

2SC4134S-E-DG

描述:

TRANS NPN 100V 1A TP
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 1 A 120MHz 800 mW Through Hole TP

库存:

12834724
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2SC4134S-E 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
1 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
100 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
400mV @ 40mA, 400mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 5V
功率 - 最大值
800 mW
频率 - 过渡
120MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商设备包
TP
基本产品编号
2SC4134

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
500
其他名称
2156-2SC4134S-E-ON
ONSONS2SC4134S-E

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

替代模型

零件编号
TTC004B,Q
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
0
部件编号
TTC004B,Q-DG
单价
0.14
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