2SB1216T-E
制造商产品编号:

2SB1216T-E

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

2SB1216T-E-DG

描述:

TRANS PNP 100V 4A TP
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP

库存:

12837039
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2SB1216T-E 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
4 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
100 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大值)
1µA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
功率 - 最大值
1 W
频率 - 过渡
130MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商设备包
TP
基本产品编号
2SB1216

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
500
其他名称
ONSONS2SB1216T-E
2156-2SB1216T-E-ON

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

替代模型

零件编号
2SB1216S-TL-E
制造商
onsemi
可用数量
1071
部件编号
2SB1216S-TL-E-DG
单价
0.27
替代类型
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