制造商产品编号:
2SA1179N6-CPA-TB-E
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
2SA1179N6-CPA-TB-E-DG
描述:
TRANS PNP 50V 0.15A
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 150 mA 180MHz 200 mW Surface Mount
库存:
12834253
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2SA1179N6-CPA-TB-E 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
150 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
500mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
200 @ 1mA, 6V
功率 - 最大值
200 mW
频率 - 过渡
180MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本产品编号
2SA1179
数据表和文档
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
ONSONS2SA1179N6-CPA-TB-E
2156-2SA1179N6-CPA-TB-E-ONTR
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
替代模型
零件编号
2SA1162-GR,LF
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
1431
部件编号
2SA1162-GR,LF-DG
单价
0.02
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