2N5655G
制造商产品编号:

2N5655G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

2N5655G-DG

描述:

TRANS NPN 250V 0.5A TO126
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 500 mA 10MHz 20 W Through Hole TO-126

库存:

12834827
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2N5655G 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
500 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
250 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
10V @ 100mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100µA
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
30 @ 100mA, 10mV
功率 - 最大值
20 W
频率 - 过渡
10MHz
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-225AA, TO-126-3
供应商设备包
TO-126
基本产品编号
2N5655

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
500
其他名称
2N5655GOS
2156-2N5655G-ON
ONSONS2N5655G

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
MJE340
制造商
NTE Electronics, Inc
可用数量
440
部件编号
MJE340-DG
单价
0.84
替代类型
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