2N5551RLRAG
制造商产品编号:

2N5551RLRAG

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

2N5551RLRAG-DG

描述:

TRANS NPN 160V 0.6A TO92
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)

库存:

在线询价
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2N5551RLRAG 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
600 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
160 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
200mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止（最大值）
50nA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
80 @ 10mA, 5V
功率 - 最大值
625 mW
频率 - 过渡
300MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
供应商设备包
TO-92 (TO-226)
基本产品编号
2N5551

数据表和文档

数据表
2N5551RLRAG
HTML 数据表
2N5551RLRAG-DG

附加信息

标准套餐
2,000
其他名称
2156-2N5551RLRAG-ONTR-DG
2N5551RLRAGOSTR
2156-2N5551RLRAG
2N5551RLRAGOSCT
ONSONS2N5551RLRAG

环境与出口分类

湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

替代模型

零件编号
2N5551YTA
制造商
onsemi
可用数量
1574
部件编号
2N5551YTA-DG
单价
0.07
替代类型
Direct
零件编号
2N5551TF
制造商
onsemi
可用数量
49026
部件编号
2N5551TF-DG
单价
0.03
替代类型
Direct
零件编号
MMBT5551LT1G
制造商
onsemi
可用数量
755151
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单价
0.01
替代类型
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替代类型
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制造商
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可用数量
27938
部件编号
2N5551TA-DG
单价
0.03
替代类型
Direct
数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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