2N5401BU
制造商产品编号:

2N5401BU

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

2N5401BU-DG

描述:

BJT TO92 150V PNP 0.625W 150C
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 600 mA 400MHz 625 mW Through Hole TO-92-3

库存:

12834166
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2N5401BU 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
600 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
150 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大值)
50nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
功率 - 最大值
625 mW
频率 - 过渡
400MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商设备包
TO-92-3
基本产品编号
2N5401

附加信息

标准套餐
1,000
其他名称
2N5401
2N5401-NDR

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

替代模型

零件编号
2N5401YBU
制造商
onsemi
可用数量
60032
部件编号
2N5401YBU-DG
单价
0.04
替代类型
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