2N5190
制造商产品编号:

2N5190

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

2N5190-DG

描述:

TRANS NPN 40V 4A TO126
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 4 A 2MHz 40 W Through Hole TO-126

库存:

12833586
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2N5190 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
4 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
40 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
1.4V @ 1A, 4A
电流 - 集电极截止(最大值)
1mA
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
25 @ 1.5A, 2V
功率 - 最大值
40 W
频率 - 过渡
2MHz
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-225AA, TO-126-3
供应商设备包
TO-126
基本产品编号
2N5190

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
500

环境与出口分类

RoHS 状态
RoHS non-compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
BD135
制造商
STMicroelectronics
可用数量
5508
部件编号
BD135-DG
单价
0.12
替代类型
Similar
零件编号
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可用数量
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单价
0.29
替代类型
Direct
数字证书
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