制造商产品编号:
PUMH10/ZL115
Product Overview
制造商:
NXP USA Inc.
零件编号:
PUMH10/ZL115-DG
描述:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
库存:
12936212
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PUMH10/ZL115 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列，预偏置
制造商
NXP Semiconductors
包装
-
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基座 （R1）
2.2kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
47kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 10mA, 5V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
100mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA
频率 - 过渡
230MHz
功率 - 最大值
300mW
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备包
6-TSSOP
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
8,876
其他名称
NEXNXPPUMH10/ZL115
2156-PUMH10/ZL115
环境与出口分类
RoHS 状态
Not applicable
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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