PHE13009/DG,127
制造商产品编号:

PHE13009/DG,127

Product Overview

制造商:

NXP USA Inc.

零件编号:

PHE13009/DG,127-DG

描述:

NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 80 W Through Hole TO-220AB

库存:

3680 件 新原装 现货
12947849
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

PHE13009/DG,127 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
NXP Semiconductors
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
12 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
400 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
2V @ 1.6A, 8A
电流 - 集电极截止(最大值)
100µA
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
8 @ 5A, 5V
功率 - 最大值
80 W
频率 - 过渡
-
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-220-3
供应商设备包
TO-220AB

数据表和文档

附加信息

标准套餐
912
其他名称
WENNXPPHE13009/DG,127
2156-PHE13009/DG,127

环境与出口分类

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
相关产品
nxp-semiconductors

PMSS3904135

NOW NEXPERIA PMSS3904 - SMALL SI

fairchild-semiconductor

NZT753

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 10

nxp-semiconductors

PHE13003C,126

NOW WEEN - PHE13003C - POWER BIP

nxp-semiconductors

PMBT4403YSX

TRANS PNP 40V 0.6A SOT23