制造商产品编号:
PHE13009/DG,127
Product Overview
制造商:
NXP USA Inc.
零件编号:
PHE13009/DG,127-DG
描述:
NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 80 W Through Hole TO-220AB
库存:
3680 件 新原装 现货
12947849
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PHE13009/DG,127 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
NXP Semiconductors
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
12 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
400 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
2V @ 1.6A, 8A
电流 - 集电极截止（最大值）
100µA
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
8 @ 5A, 5V
功率 - 最大值
80 W
频率 - 过渡
-
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-220-3
供应商设备包
TO-220AB
数据表和文档
附加信息
标准套餐
912
其他名称
WENNXPPHE13009/DG,127
2156-PHE13009/DG,127
环境与出口分类
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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