PEMD19,115
制造商产品编号:

PEMD19,115

Product Overview

制造商:

NXP Semiconductors

零件编号:

PEMD19,115-DG

描述:

NEXPERIA PEMD19 - SMALL SIGNAL B
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666

库存:

12000 件 新原装 现货
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PEMD19,115 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列,预偏置
制造商
NXP Semiconductors
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基座 (R1)
22kOhms
电阻器 - 发射极基极 (R2)
-
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
1µA
频率 - 过渡
-
功率 - 最大值
300mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
SOT-666

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐
6,772
其他名称
2156-PEMD19,115-954

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
数字证书
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