制造商产品编号:
PDTD114EQA147
Product Overview
制造商:
NXP USA Inc.
零件编号:
PDTD114EQA147-DG
描述:
TRANS PREBIAS
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 210 MHz 940 mW Surface Mount DFN1010D-3
库存:
12968602
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PDTD114EQA147 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极型预偏置双极晶体管
制造商
NXP Semiconductors
包装
-
系列
PDTD114EQA
产品状态
Active
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
500 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50 V
电阻器 - 基座 （R1）
10 kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
10 kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
70 @ 50mA, 5V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 过渡
210 MHz
功率 - 最大值
940 mW
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
3-XDFN Exposed Pad
供应商设备包
DFN1010D-3
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
8,219
其他名称
2156-PDTD114EQA147
NEXNXPPDTD114EQA147
环境与出口分类
RoHS 状态
Not applicable
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
数字证书
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