制造商产品编号:
NTE2018
Product Overview
制造商:
NTE Electronics, Inc
零件编号:
NTE2018-DG
描述:
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA 1W Through Hole 18-PDIP
库存:
22 件 新原装 现货
12950372
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NTE2018 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列
制造商
包装
Bag
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
8 NPN Darlington
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
600mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
1.6V @ 350mA, 500A
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
-
功率 - 最大值
1W
频率 - 过渡
-
工作温度
-20°C ~ 85°C (TA)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
18-DIP (0.300", 7.62mm)
供应商设备包
18-PDIP
基本产品编号
NTE20
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
1
其他名称
2368-NTE2018
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
数字证书
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