制造商产品编号:
PUMB1/DG/B3,115
Product Overview
制造商:
Nexperia USA Inc.
零件编号:
PUMB1/DG/B3,115-DG
描述:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 180MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
库存:
12830418
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PUMB1/DG/B3,115 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列，预偏置
制造商
Nexperia
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基座 （R1）
22kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
22kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
60 @ 5mA, 5V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
150mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA
频率 - 过渡
180MHz
功率 - 最大值
300mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备包
6-TSSOP
基本产品编号
PUMB1
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
934066958115
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
替代模型
零件编号
RN2903,LF(CT
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
0
部件编号
RN2903,LF(CT-DG
单价
0.03
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