PMT21EN,115
制造商产品编号:

PMT21EN,115

Product Overview

制造商:

Nexperia USA Inc.

零件编号:

PMT21EN,115-DG

描述:

MOSFET N-CH 30V 7.4A SOT223
详细描述:
N-Channel 30 V 7.4A (Ta) 820mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount SOT-223

库存:

12830083
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

PMT21EN,115 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Nexperia
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
30 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
7.4A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
14.4 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
588 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
820mW (Ta), 8.33W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SOT-223
包装 / 外壳
TO-261-4, TO-261AA

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
1,000
其他名称
568-10997-6
PMT21EN115
934066002115
568-10997-2
568-10997-1
PMT21EN,115-DG

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
NDT451AN
制造商
onsemi
可用数量
1367
部件编号
NDT451AN-DG
单价
0.40
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
nexperia

PSMNR90-40YLHX

MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56

infineon-technologies

BSL307SPL6327HTSA1

MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP-6

nexperia

PMV48XP/MIR

MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB

infineon-technologies

AUXBNLS3036TRL

MOSFET N-CH 60V 195A D2-PAK