PEMH9,315
制造商产品编号:

PEMH9,315

Product Overview

制造商:

Nexperia USA Inc.

零件编号:

PEMH9,315-DG

描述:

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666

库存:

8000 件 新原装 现货
12832774
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PEMH9,315 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列，预偏置
制造商
Nexperia
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Not For New Designs
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基座 （R1）
10kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
47kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 5mA, 5V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
100mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
1µA
频率 - 过渡
-
功率 - 最大值
300mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
SOT-666
基本产品编号
PEMH9

数据表和文档

数据表
PEMH9,315
HTML 数据表
PEMH9,315-DG

附加信息

标准套餐
8,000
其他名称
1727-PEMH9,315DKR
5202-PEMH9,315TR
PEMH9,315-DG
1727-PEMH9,315TR
934056769315
1727-PEMH9,315CT

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
RN1907FE,LF(CT
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
307
部件编号
RN1907FE,LF(CT-DG
单价
0.02
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数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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