PEMH7,115
制造商产品编号:

PEMH7,115

Product Overview

制造商:

Nexperia USA Inc.

零件编号:

PEMH7,115-DG

描述:

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666

库存:

12830192
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PEMH7,115 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列,预偏置
制造商
Nexperia
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基座 (R1)
4.7kOhms
电阻器 - 发射极基极 (R2)
-
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 5V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止(最大值)
1µA
频率 - 过渡
-
功率 - 最大值
300mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
SOT-666
基本产品编号
PEMH7

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
4,000
其他名称
PEMH7 T/R
934056863115
PEMH7 T/R-DG

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
RN4990FE,LF(CT
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
0
部件编号
RN4990FE,LF(CT-DG
单价
0.02
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