PEMD4,115
制造商产品编号:

PEMD4,115

Product Overview

制造商:

Nexperia USA Inc.

零件编号:

PEMD4,115-DG

描述:

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666

库存:

12828841
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PEMD4,115 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列,预偏置
制造商
Nexperia
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Not For New Designs
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基座 (R1)
10kOhms
电阻器 - 发射极基极 (R2)
-
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 5V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
1µA
频率 - 过渡
-
功率 - 最大值
300mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
SOT-666
基本产品编号
PEMD4

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
4,000
其他名称
PEMD4 T/R-DG
5202-PEMD4,115TR
934056873115
PEMD4 T/R
PEMD4,115-DG
2156-PEMD4,115
1727-7360-6
1727-7360-1
1727-7360-2

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
NSBC114TDXV6T1G
制造商
onsemi
可用数量
6880
部件编号
NSBC114TDXV6T1G-DG
单价
0.05
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