制造商产品编号:
NXV55UNR
Product Overview
制造商:
Nexperia USA Inc.
零件编号:
NXV55UNR-DG
描述:
NXV55UN/SOT23/TO-236AB
详细描述:
N-Channel 30 V 1.9A (Ta) 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount TO-236AB
库存:
29503 件 新原装 现货
12950091
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
NXV55UNR 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Nexperia
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
1.9A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
66mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
900mV @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
8.7 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±8V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
352 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
340mW (Ta), 2.1W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-236AB
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
1727-NXV55UNRCT
934661664215
5202-NXV55UNRTR
1727-NXV55UNRTR
1727-NXV55UNRDKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
相关产品
TP65H070LSG-TR
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
IPP65R155CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
IPP65R110CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW