BST82,235
制造商产品编号:

BST82,235

Product Overview

制造商:

Nexperia USA Inc.

零件编号:

BST82,235-DG

描述:

MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
详细描述:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB

库存:

20973 件 新原装 现货
12831677
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BST82,235 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Nexperia
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
100 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
40 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
830mW (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-236AB
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本产品编号
BST82

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
10,000
其他名称
933733110235
1727-BST82,235TR
5202-BST82,235TR
BST82,235-DG
1727-BST82,235CT
1727-BST82,235DKR
BST82 /T3-DG
BST82 /T3

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
ZVN3310FTA
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
6862
部件编号
ZVN3310FTA-DG
单价
0.19
替代类型
Similar
零件编号
BSS123LT1G
制造商
onsemi
可用数量
217861
部件编号
BSS123LT1G-DG
单价
0.03
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