制造商产品编号:
BST82,215
Product Overview
制造商:
Nexperia USA Inc.
零件编号:
BST82,215-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
详细描述:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
库存:
47865 件 新原装 现货
12829235
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BST82,215 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Nexperia
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
190mA (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 150mA, 5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 1mA
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
40 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
830mW (Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-236AB
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本产品编号
BST82
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
5202-BST82,215TR
568-6229-6-DG
568-6229-2
568-6229-2-DG
BST82 T/R
568-6229-1
568-6229-1-DG
1727-4937-2
1727-4937-6
BST82,215-DG
1727-4937-1
BST82 T/R-DG
933733110215
568-6229-6
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
数字证书
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