制造商产品编号:
JAN2N6849
Product Overview
制造商:
Microsemi Corporation
零件编号:
JAN2N6849-DG
描述:
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39
详细描述:
P-Channel 100 V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
库存:
12927597
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JAN2N6849 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Microsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
6.5A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
320mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
34.8 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
800mW (Ta), 25W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年级
Military
资格
MIL-PRF-19500/564
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-39
包装 / 外壳
TO-205AF Metal Can
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
1
其他名称
JAN2N6849-MIL
JAN2N6849-DG
150-JAN2N6849
环境与出口分类
RoHS 状态
RoHS non-compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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