APT8075BN
制造商产品编号:

APT8075BN

Product Overview

制造商:

Microsemi Corporation

零件编号:

APT8075BN-DG

描述:

MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
详细描述:
N-Channel 800 V 13A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD

库存:

13263362
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

APT8075BN 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Microsemi
包装
-
系列
POWER MOS IV®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
800 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
13A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
2950 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
310W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247AD
包装 / 外壳
TO-247-3

附加信息

标准套餐
30
其他名称
APT8075BN-ND
150-APT8075BN

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
相关产品
microchip-technology

APL602LG

MOSFET N-CH 600V 49A TO264

microchip-technology

APTM50DAM17G

MOSFET N-CH 500V 180A SP6

microchip-technology

APT43M60L

MOSFET N-CH 600V 45A TO264

microchip-technology

APT94N60L2C3G

MOSFET N-CH 600V 94A 264 MAX