制造商产品编号:
APT10M09B2VFRG
Product Overview
制造商:
Microsemi Corporation
零件编号:
APT10M09B2VFRG-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
详细描述:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 625W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
库存:
13261425
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APT10M09B2VFRG 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Microsemi
包装
-
系列
POWER MOS V®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
100A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 2.5mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
9875 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
625W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
T-MAX™ [B2]
包装 / 外壳
TO-247-3 Variant
附加信息
标准套餐
30
其他名称
150-APT10M09B2VFRG
APT10M09B2VFRG-ND
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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