2N6796
制造商产品编号:

2N6796

Product Overview

制造商:

Microsemi Corporation

零件编号:

2N6796-DG

描述:

MOSFET N-CH 100V 8A TO39
详细描述:
N-Channel 100 V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39

库存:

13247001
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

2N6796 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Microsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
100 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
8A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250mA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
6.34 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
800mW (Ta), 25W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-39
包装 / 外壳
TO-205AF Metal Can

附加信息

标准套餐
1
其他名称
2N6796-ND
150-2N6796

环境与出口分类

RoHS 状态
RoHS non-compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
相关产品
microsemi

JANSR2N7380

MOSFET N-CH 100V 14.4A TO257

microsemi

APTC60DAM35T1G

MOSFET N-CH 600V 72A SP1

microchip-technology

APT77N60BC6

MOSFET N-CH 600V 77A TO247

microchip-technology

APTM100UM45DAG

MOSFET N-CH 1000V 215A SP6