制造商产品编号:
2N6796
Product Overview
制造商:
Microsemi Corporation
零件编号:
2N6796-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 8A TO39
详细描述:
N-Channel 100 V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
库存:
13247001
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2N6796 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Microsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
8A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
6.34 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
800mW (Ta), 25W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-39
包装 / 外壳
TO-205AF Metal Can
附加信息
标准套餐
1
其他名称
2N6796-ND
150-2N6796
环境与出口分类
RoHS 状态
RoHS non-compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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