制造商产品编号:
2N6770
Product Overview
制造商:
Microsemi Corporation
零件编号:
2N6770-DG
描述:
MOSFET N-CH 500V 12A TO3
详细描述:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
库存:
13258432
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2N6770 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Microsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
500 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
12A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
4W (Ta), 150W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-3
包装 / 外壳
TO-204AE
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
1
其他名称
150-2N6770
2N6770-ND
环境与出口分类
RoHS 状态
RoHS non-compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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