制造商产品编号:
2N5011
Product Overview
制造商:
Microsemi Corporation
零件编号:
2N5011-DG
描述:
NPN SILICON TRANSISTOR
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 600 V 200 mA 1 W Through Hole TO-5AA
库存:
13251752
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2N5011 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
Microsemi
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
200 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
600 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
1.5V @ 5mA, 25mA
电流 - 集电极截止（最大值）
10nA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
30 @ 25mA, 10V
功率 - 最大值
1 W
频率 - 过渡
-
工作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供应商设备包
TO-5AA
数据表和文档
附加信息
标准套餐
1
其他名称
150-2N5011
2N5011-ND
环境与出口分类
RoHS 状态
RoHS non-compliant
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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